NAND閃存的類型

2019-09-03 來源:未知

NAND閃存的類型

 
 
由于Flash的成本取決于其芯片面積,如果可以在同一區域存儲更多數據,Flash將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單級單元(SLC),多級單元(MLC)和三級單元(TLC)。顧名思義,TLC Flash在與MLC相同的區域中存儲的數據更多,MLC反過來存儲的數據多于SLC。另一種類型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶片上垂直堆疊多層存儲器單元,這種類型的閃存實現了更大的密度。
 

浮柵晶體管
在本系列的第一部分中,我提到閃存將信息存儲在由浮柵晶體管組成的存儲單元中。為了更好地理解不同類型的NAND閃存,讓我們來看看浮柵晶體管的結構,工作原理和限制。
浮柵晶體管或浮柵MOSFET(FGMOS)非常類似于常規MOSFET,除了它在柵極和溝道之間具有額外的電絕緣浮柵。

圖1:浮柵晶體管或浮柵MOSFET(FGMOS)類似于常規MOSFET,除了它在柵極和溝道之間有一個額外的電絕緣浮柵。
由于浮柵是電隔離的,所以即使在去除電壓之后,到達柵極的任何電子也會被捕獲。這提供了存儲器的非易失性。與具有固定閾值電壓的常規MOSFET不同,FGMOS的閾值電壓將取決于存儲在浮柵中的電荷量。電荷越多,閾值電壓越高。與常規MOSFET類似,當施加到控制柵極的電壓高于閾值電壓時,FGMOS將開始導通。因此,通過測量其閾值電壓并將其與固定電壓電平進行比較來識別存儲在FGMOS中的信息。這被稱為閃存中的讀操作。  
可以使用兩種方法將電子放置在浮動柵極中:Fowler-Nordheim隧穿或熱載流子注入。對于Fowler-Nordheim隧穿,在帶負電的源和帶正電的控制柵之間施加強電場。這使得來自源的電子隧穿穿過薄氧化層并到達浮柵。隧穿所需的電壓取決于隧道氧化層的厚度。利用熱載流子注入,高電流通過溝道,為電子提供足夠的能量以穿過氧化物層并到達浮動柵極。
通過在控制柵極上施加強負電壓并在源極和漏極端子上施加強正電壓,使用福勒 - 諾德海姆隧道效應可以從浮柵移除電子。這將導致被捕獲的電子通過薄氧化層隧道回隧道。在閃存中,將電子放置在浮動柵極中被認為是編程/寫入操作,并且去除電子被認為是擦除操作。
隧道工藝有一個主要缺點:它會逐漸損壞氧化層。這被稱為閃存中的磨損。每次對單元進行編程或擦除時,一些電子都會卡在氧化層中,從而磨損氧化層。一旦氧化物層達到不再能夠在編程和擦除狀態之間進行可靠性區分的點,則該單元被認為是壞的或磨損的。由于讀取操作不需要隧穿,因此它們不會將單元磨掉。這就是為什么閃存的壽命表示為它可以支持的編程/擦除(P / E)周期的數量。了解典型和最大編程/擦除性能可解釋如何導出編程和擦除性能的典型值和最大值。
 

單級單元(SLC)NAND閃存
 
在SLC閃存中,每個存儲單元僅存儲一位信息:邏輯0或邏輯1。單元的閾值電壓與單個電壓電平進行比較,如果電壓高于電平,則該位被視為邏輯0。如果低于邏輯1。

圖2:將SLC閃存單元中的電壓與閾值電壓進行比較,以確定它是邏輯0(高于閾值)還是邏輯1(低于閾值)。
由于只有兩個級別,因此兩個級別之間的電壓裕度可能非常高。這使得讀取單元格更容易,更快捷。原始誤碼率(RBER)也很低,因為由于較大的電壓余量,在讀取操作期間任何泄漏或干擾的影響較小。低RBER還減少了給定數據塊所需的ECC位數。
大電壓裕量的另一個優點是磨損的影響相對較小,因為微小的電荷泄漏將具有相對較低的影響。每個邏輯電平的更寬分布有助于以更低的電壓對單元進行編程或擦除,這進一步增加了單元的耐久性,進而增加了壽命P/E循環的數量。
一個缺點是與在相同芯片區域中存儲更多數據的其他類型的Flash相比,每個單元的成本更高。SLC閃存通常用于成本不敏感且需要高可靠性和耐用性的應用中,例如具有大量所需P/E循環的工業和企業應用。
 

多級單元(MLC)NAND閃存
 
在MLC閃存中,每個存儲器單元存儲兩位信息,即00,01,10和11.在這種情況下,閾值電壓與三個電平進行比較(總共4個電壓帶)。

圖3:將MLC閃存單元中的電壓與三個閾值電壓進行比較,以確定其邏輯兩位值。
通過更多級別進行比較,讀取操作需要更加精確,與SLC Flash相比,讀取速度更慢。由于較低的電壓余量,原始誤碼率(RBER)也相對較高,并且給定數據塊需要更多的ECC比特?,F在磨損的影響更為顯著,因為與SLC閃存相比,任何電荷泄漏都會產生更大的相對影響,從而減少壽命P / E循環次數。
由于需要仔細編程以將電荷存儲在每個邏輯電平所需的緊密窗口內,因此編程操作也要慢得多。主要優點是每比特成本更低,比SLC閃存低2-4倍。MLC閃存通常用于成本更敏感的應用,例如消費電子或游戲系統,其性能,可靠性和耐用性不是那么關鍵,并且所需的壽命P / E循環次數相對較低。SLC與MLC NAND閃存存儲器提供SLC和MLC閃存的更詳細比較。
 

企業級多單元(eMLC)NAND閃存
MLC閃存的低可靠性和耐用性使它們不適合企業應用,而低成本是一個驅動因素。為了帶來更低成本的優勢,閃存制造商已經創建了一種優化級別的MLC閃存,具有更高的可靠性和耐用性,稱為eMLC。eMLC中的數據密度通常會降低,從而提供更好的電壓余量以提高可靠性。較慢的擦除和編程循環通常用于減少磨損的影響并提高耐用性。還有許多其他技術可以提高eMLC的可靠性和耐用性,這些技術因制造商而異。
 

三電平單元(TLC)NAND閃存
 
在TLC Flash中,每個存儲器單元存儲3位信息?,F在將閾值電壓與七個電平(總共8個電壓帶)進行比較。

圖4:將TLC閃存單元中的電壓與七個閾值電壓進行比較,以確定其邏輯三位值。
通過更多級別進行比較,與SLC Flash相比,讀取操作需要高度精確且速度慢。原始誤碼率(RBER)也很高,增加了對給定數據塊的更多ECC位的需求。磨損的影響也被放大,大大減少了壽命P/E循環次數。編程操作也較慢,因為電壓需要精確以將電荷存儲在每個邏輯電平所需的更嚴格的窗口內。
關鍵優勢是每比特的最低成本,與SLC或MLC閃存相比要低得多。TLC閃存用于高成本敏感型應用,對低壽命P/E循環的需求較少,例如消費類應用。
 

SLC,MLC,eMLC和TLC的比較
表1中給出了假設類似光刻工藝的不同類型閃存的主要參數的比較。這些值僅表示比較性能,并且就特定存儲器產品而言可能不準確。
特征 SLC MLC EMLC TLC
每個細胞的比特 1 2 2 3
每位成本 最高 中等 中等 最低
P / E周期 100000 3000 <1000
數據保留 10年 1年 1年 1年
25μs 50至60μs 50至60μs 105μs
程序 200μs 1.1ms至1.3ms 2MS 4.65毫秒
抹去 2MS 3至4毫秒 6ms的 10毫秒
ECC(每512字節)* 1位到12位 4位到40位 4位到40位 超過60位
表1:每種不同類型Flash的主要參數的比較。
* ECC位數取決于技術節點; 較小的技術節點需要更多的ECC位。
 
 3D NAND Flash
上面討論的所有不同的閃存都是二維的,意味著存儲單元僅布置在晶片的XY平面中。使用2D閃存技術,在同一晶圓中實現更高密度的唯一方法是縮小光刻工藝。其缺點是,對于較小的光刻節點,NAND閃存中的錯誤更為頻繁。另外,可以使用的最小光刻節點存在限制。
為了提高存儲密度,制造商開發了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術,該技術將Z平面中的存儲單元堆疊在同一晶圓上。以這種方式構建有助于為相同的芯片區域實現高位密度。在3D NAND閃存中,存儲器單元作為垂直串連接而不是2D NAND中的水平串。
第一批3D Flash產品有24層。隨著該技術的進步,已經制造出32,48,64甚至96層3D閃存。3D閃存的優勢在于同一區域中的存儲單元數量明顯更多。這也使制造商能夠使用更大的光刻工藝來制造更可靠的閃存。
在3D Flash中看到的另一個主要技術轉變是使用電荷陷阱Flash而不是浮柵晶體管。除了用氮化硅膜代替浮柵之外,電荷陷阱在結構上類似于FGMOS。注意,由于大規模制造的困難,電荷陷阱在市場上沒有被廣泛使用。由于難以制造浮柵晶體管的垂直串以及電荷陷阱的其他固有優點,已經采用電荷陷阱技術用于3D閃存。
與FGMOS相比,基于電荷陷阱的存儲器有許多優點??梢栽谳^低電壓下編程和擦除基于電荷陷阱的存儲器,從而提高耐用性。由于捕獲層(氮化物)是絕緣層,電荷不會泄漏,從而提高可靠性。由于電荷不會從電荷陷阱的一側流到另一側,因此可以在同一陷阱層上存儲多于一位的電荷。賽普拉斯(前Spansion)在NOR閃存中有效地利用了這種功能,稱為MirrorBit技術,將兩位數據存儲在一個類似于MLC閃存的單個存儲單元中。
 

未來的趨勢

所有主要的閃存制造商都積極致力于不同的方法,以降低每比特閃存的成本,同時仍然創建在各種應用中有用的產品。正在積極研究增加3D NAND Flash中垂直層的數量。雖然15nm似乎是目前NAND閃存中最小的成功節點,但Flash的光刻節點的縮小仍在繼續。將MLC和TLC技術與3D NAND閃存相結合也正在積極探索,許多制造商已經看到了成功。隨著新技術的出現,我們可能很快就會看到存儲單元可以存儲一個字節的數據和垂直層,達到256層甚至更高。
產品中心
新聞中心
員工活動
利升宝彩票首页 云南十一选五玩法 青海体彩十一选五结果查询 陕西11选5技巧 30选5中奖规则及奖金 燕赵福彩排列七走势图 吉林快三豹子选号技巧 股票无息配资是骗局 好运快三杀号技巧 七星彩开奖结果 内蒙古快3开奖结果360代购技巧